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NEXIV VMF-Kシリーズ
明視野とコンフォーカルの2つの光学系を搭載し、高精度な二次元および高さ測定が可能です。測定スループットが向上し、最先端アドバンスドパッケージの微細寸法測定要求にも対応します。
Next-Level Throughput
画像測定システムNEXIVシリーズのフラッグシップモデルであるVMZ-Kシリーズが、高精度な二次元・高さ測定の優位性はそのままに、更なる進化を遂げました。
VMF-Kシリーズでは光学系の刷新により、高さ測定のスキャンスピードが向上。これにより、従来機のVMZ-Kシリーズと比較し、約1.5倍のスループット向上を実現しました。
また最先端アドバンスドパッケージにおける微細寸法測定ニーズにお応えするため、高倍率45倍モデルを新たにラインアップに加えました。
2つの光学系を搭載
NEXIV VMF-Kシリーズでは、明視野光学系による二次元測定に加えて、コンフォーカル光学系による視野内一括の二次元・高さ測定が可能です。これにより、明視野画像による高さ測定に対し、圧倒的な測定スループットを実現します。また高コントラスト/段差のあるサンプルや、表面反射により正確な位置検出が困難な透明体サンプルなども、コンフォーカル光学系を用いることで正確に形状/高さを捉え、検出することが可能です。
主な特長
更なる測定スループットの向上
高さ方向のスキャン速度高速化により、VMZ-Kシリーズと比較して約1.5倍の測定スループット向上を実現します。
半導体産業の多様なサンプルに対応
プローブカード、ウェハレベルパッケージなど、半導体製造における様々な測定ニーズに対応します。ウェハレベルパッケージでは、長寸法や微細寸法、形状、反り、膜厚などを測定可能です。
高倍率45倍モデルによる微細化対応
微細化・高集積化する先端半導体デバイスの微細寸法測定要求に応える倍率45倍の光学系を搭載したモデルをラインナップ。2 μmを切る微細なL/Sのトップ・ボトムの幅、高さを高速かつ高精度に測定することができます。
高精度・高速な座標系計測
視野の範囲を超える長寸法の座標系計測が可能です。ニコンのNEXIVシリーズは、画像測定システムメーカーとしての長年の技術とノウハウをシステム設計に反映し、長寸法においても高精度で安定した測定を実現します。
高コントラスト/段差のあるサンプルの測定
コンフォーカル光学系により、プリント基板銅線のような高コントラストのサンプルを安定して測定できます。ハレーションなどの影響で、明視野では正確な測定が困難なサンプルも、コンフォーカル観察では正確に形状を捉えることができます。
透明度が高く薄いサンプルの測定
光学測定システム共通の課題である、金属表面フィルムや半導体レジストのような表面反射により正確な位置検出が困難なサンプルにおいても、コンフォーカル光学系により透明体表面と金属表面の2点を正確に検出可能です。
ラインナップ
NEXIV VMF-K3040
ストローク（X×Y×Z）：300 x 400 x 150mm
仕様
| VMF-K3040 / VMF-K6555共通 | |||||||
| 測定ヘッド | 標準ヘッド (Type-S) | 高倍ヘッド (Type-H) | 45×高倍ヘッド | ||||
| 光学倍率 | 倍率 | 1.5× | 3.0× | 7.5× | 15× | 30× | 45× |
| 作動距離 | 24 mm | 24 mm | 5 mm | 20 mm | 5 mm | 5 mm | |
| コンフォーカル 光学系 (高さ測定) | 最大高さスキャン単位 | 1 mm | |||||
| 視野範囲 | 7.80×5.82 mm | 3.90×2.91 mm | 1.56×1.17 mm | 0.78×0.58 mm | 0.39×0.29 mm | 0.26×0.19 mm |
|
| 繰り返し精度（2σ） | 0.6 μm | 0.35 μm | 0.25 μm | 0.25 μm | 0.2 μm | 0.2 μm | |
| 高さ分解能 | 0.025 μm | 0.01 μm | |||||
| 照明光源 | 緑色LED | ||||||
| 明視野光学系 (二次元測定) | 変倍方式 | 電動5段階ズーム | |||||
| 視野範囲 | 7.80×5.85~ 0.52×0.39 mm | 3.90×2.92~ 0.26×0.19 mm | 1.56×1.17~ 0.10×0.078 mm | 1.26×0.95~ 0.099×0.074 mm | 0.63×0.47~ 0.052×0.039 mm | 0.63×0.47~ 0.052×0.039 mm |
|
| 照明 | 透過、同軸落射、リング | 透過、同軸落射 | |||||
| 照明光源 | 白色LED | ||||||
| オートフォーカス | TTLレーザーAF/画像AF | ||||||
| 本体 | 供給電源 | AC 100V-240V ±10%, 50/60 Hz | |||||
| 消費電流 | 13A-10A | ||||||
| 安全規格 | SEMI S2/S8対応 *1 | ||||||
| モデル | VMF-K3040 | VMF-K6555 | |||||
| 本体 | ストローク (X,Y,Z) | 300×400×150 mm | 650×550×150 mm | ||||
| 精度保証質量 | 20 kg | 30 kg | |||||
| 測定精度 | Eux, MPE Euy, MPE ± (1.2 + 4L/1000) μm | ||||||
| Euxy, MPE ± (2.0 + 4L/1000) μm | |||||||
| Euz, MPE ± (1 + L/1000) μm | |||||||
| 最小表示単位 | 0.01 μm | ||||||
| 寸法 (WxDxH)/ 質量 | 本体+測定台 | 1146×1247×1973 mm / 約800 kg | 1198×1640×1973 mm / 約800 kg | ||||
| コントローラ | 190×450×440 mm / 約14 kg | ||||||
| 推奨設置寸法 (WxD) *2 | 3150×3000 mm | 3200×3300 mm | |||||
| 最小設置寸法 (WxD) | 2500×1600 mm | 2500×1900 mm | |||||
*1: SEMIガイドラインに従って設置した場合。
*2: 弊社推奨のメンテナンススペースを含む。
NEXIV VMF-K6555
ストローク（X×Y×Z）：650 x 550 x 150mm
仕様
| VMF-K3040 / VMF-K6555共通 | |||||||
| 測定ヘッド | 標準ヘッド (Type-S) | 高倍ヘッド (Type-H) | 45×高倍ヘッド | ||||
| 光学倍率 | 倍率 | 1.5× | 3.0× | 7.5× | 15× | 30× | 45× |
| 作動距離 | 24 mm | 24 mm | 5 mm | 20 mm | 5 mm | 5 mm | |
| コンフォーカル 光学系 (高さ測定) | 最大高さスキャン単位 | 1 mm | |||||
| 視野範囲 | 7.80×5.82 mm | 3.90×2.91 mm | 1.56×1.17 mm | 0.78×0.58 mm | 0.39×0.29 mm | 0.26×0.19 mm |
|
| 繰り返し精度（2σ） | 0.6 μm | 0.35 μm | 0.25 μm | 0.25 μm | 0.2 μm | 0.2 μm | |
| 高さ分解能 | 0.025 μm | 0.01 μm | |||||
| 照明光源 | 緑色LED | ||||||
| 明視野光学系 (二次元測定) | 変倍方式 | 電動5段階ズーム | |||||
| 視野範囲 | 7.80×5.85~ 0.52×0.39 mm | 3.90×2.92~ 0.26×0.19 mm | 1.56×1.17~ 0.10×0.078 mm | 1.26×0.95~ 0.099×0.074 mm | 0.63×0.47~ 0.052×0.039 mm | 0.63×0.47~ 0.052×0.039 mm |
|
| 照明 | 透過、同軸落射、リング | 透過、同軸落射 | |||||
| 照明光源 | 白色LED | ||||||
| オートフォーカス | TTLレーザーAF/画像AF | ||||||
| 本体 | 供給電源 | AC 100V-240V ±10%, 50/60 Hz | |||||
| 消費電流 | 13A-10A | ||||||
| 安全規格 | SEMI S2/S8対応 *1 | ||||||
| モデル | VMF-K3040 | VMF-K6555 | |||||
| 本体 | ストローク (X,Y,Z) | 300×400×150 mm | 650×550×150 mm | ||||
| 精度保証質量 | 20 kg | 30 kg | |||||
| 測定精度 | Eux, MPE Euy, MPE ± (1.2 + 4L/1000) μm | ||||||
| Euxy, MPE ± (2.0 + 4L/1000) μm | |||||||
| Euz, MPE ± (1 + L/1000) μm | |||||||
| 最小表示単位 | 0.01 μm | ||||||
| 寸法 (WxDxH)/ 質量 | 本体+測定台 | 1146×1247×1973 mm / 約800 kg | 1198×1640×1973 mm / 約800 kg | ||||
| コントローラ | 190×450×440 mm / 約14 kg | ||||||
| 推奨設置寸法 (WxD) *2 | 3150×3000 mm | 3200×3300 mm | |||||
| 最小設置寸法 (WxD) | 2500×1600 mm | 2500×1900 mm | |||||
*1: SEMIガイドラインに従って設置した場合。
*2: 弊社推奨のメンテナンススペースを含む。
さまざまな業界の測定要求に応えるイノベーションとクオリティ
半導体/エレクトロニクス
アドバンスドパッケージ
微細化・高集積化する先端半導体デバイスの微細寸法測定要求に応える高倍率45倍モデルをラインナップしました。2 μmを切る微細なL/Sのトップ・ボトムの幅、高さを高速かつ高精度に測定することができます。
プローブカード
数万本のピンを全数測定するプローブカードでは、コンフォーカル光学系による視野内一括の二次元および高さ測定が測定スピードの面で効果的なアプローチです。プローブカードの微細なコンタクト部分のXY座標（重心/四角中心）、Z座標（平均/最高点）を、視野内一括で測定可能です。
ベアウェハのレーザーマーク
半導体の製造工程では、各工程でコードリーダーを用いてウェハIDを読み取ることで工程管理している中で、レーザーマークの径やサイズ、深さなどの厳密な管理が必要となっています。また、視野の範囲を超える文字列の寸法測定に加えて、3D画像によるレーザ―刻印の深さ管理が可能です。
リードフレームパッケージ
ダイボンディング、ワイヤーボンディングの工程管理に最適です。明視野/コンフォーカル光学系を使用し、ダイシフト、ダイの高さ/傾きやワイヤーボンディングのボール直径/高さ、ワイヤーの高さなどが測定可能です。
よくある質問
半導体分野での測定用途に最適です。プローブカードや最先端アドバンスドパッケージ、レーザーマークやボンディングワイヤーなどの測定ニーズに対応します。ハレーションなどの影響で、明視野では正確な測定が困難なサンプルも、コンフォーカル光学系により正確に形状を捉えることができます。金属表面フィルム/半導体レジストのような表面反射により正確な位置検出が困難な透明体サンプルにおいても、透明体表面と金属表面の2点を正確に検出できます。
高さ方向のスキャンスピード向上により、従来機比約1.5倍の測定スループットを達成しています。 なお、実際の測定速度は測定内容によって大きく変動しますので、詳細につきましては最寄りの販売窓口までお問い合わせください。
明視野光学系とコンフォーカル光学系により視野内一括の二次元および高さ測定を実現します。また、明視野では検出が難しい特殊なサンプルも、コンフォーカル光学系によりクリアに検出し、高精度に測定可能です。その他、最先端アドバンスドパッケージに対応する高倍率45倍モデル追加、視野範囲を超える長寸法の高精度座標系計測、キセノンからLEDへの変更によるコンフォーカル光学系の長寿命化、SEMI S2/S8対応*、外装デザインを黒・シルバーを基調とするファクトリーデザインに更新、などの点も大きな特長です。
*ガイドラインに従った適切な設置が必要です。
明視野/コンフォーカル光学系の搭載により、高コントラスト/段差のあるサンプルや、表面反射により正確な位置検出が困難な透明体サンプルの形状/高さ正確に捉え、検出することができます。また、本体と測定ステージのガイドレールには熱膨張係数の近い材料を採用し、環境温度が変化した場合でもガイドレールの変形を抑え、精度変化への影響を最小限に抑制します。画像測定システムで最高水準となる分解能0.01 μmの自社開発リニアエンコーダをXY軸に標準装備し、直線方向の位置を精密に検出することで、視野の範囲を超える長寸法の座標系測定においても高精度で安定した測定結果を提供します。
従来機ではキセノンを採用していたコンフォーカル光源をLED化しました。これにより光源寿命が約10倍となり、装置の稼働率向上、ランプ交換作業や廃棄対応にかかる負荷を削減しました。また、測定ヘッド前面にカラーLEDインジケータを搭載し、現在の装置状態が遠目からでも確認できるようになりました。
| VMF-K3040 / VMF-K6555共通 | |||||||
| 測定ヘッド | 標準ヘッド (Type-S) | 高倍ヘッド (Type-H) | 45×高倍ヘッド | ||||
| 光学倍率 | 倍率 | 1.5× | 3.0× | 7.5× | 15× | 30× | 45× |
| 作動距離 | 24 mm | 24 mm | 5 mm | 20 mm | 5 mm | 5 mm | |
| コンフォーカル 光学系 (高さ測定) | 最大高さスキャン単位 | 1 mm | |||||
| 視野範囲 | 7.80×5.82 mm | 3.90×2.91 mm | 1.56×1.17 mm | 0.78×0.58 mm | 0.39×0.29 mm | 0.26×0.19 mm |
|
| 繰り返し精度（2σ） | 0.6 μm | 0.35 μm | 0.25 μm | 0.25 μm | 0.2 μm | 0.2 μm | |
| 高さ分解能 | 0.025 μm | 0.01 μm | |||||
| 照明光源 | 緑色LED | ||||||
| 明視野光学系 (二次元測定) | 変倍方式 | 電動5段階ズーム | |||||
| 視野範囲 | 7.80×5.85~ 0.52×0.39 mm | 3.90×2.92~ 0.26×0.19 mm | 1.56×1.17~ 0.10×0.078 mm | 1.26×0.95~ 0.099×0.074 mm | 0.63×0.47~ 0.052×0.039 mm | 0.63×0.47~ 0.052×0.039 mm |
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| 照明 | 透過、同軸落射、リング | 透過、同軸落射 | |||||
| 照明光源 | 白色LED | ||||||
| オートフォーカス | TTLレーザーAF/画像AF | ||||||
| 本体 | 供給電源 | AC 100V-240V ±10%, 50/60 Hz | |||||
| 消費電流 | 13A-10A | ||||||
| 安全規格 | SEMI S2/S8対応 *1 | ||||||
| モデル | VMF-K3040 | VMF-K6555 | |||||
| 本体 | ストローク (X,Y,Z) | 300×400×150 mm | 650×550×150 mm | ||||
| 精度保証質量 | 20 kg | 30 kg | |||||
| 測定精度 | Eux, MPE Euy, MPE ± (1.2 + 4L/1000) μm | ||||||
| Euxy, MPE ± (2.0 + 4L/1000) μm | |||||||
| Euz, MPE ± (1 + L/1000) μm | |||||||
| 最小表示単位 | 0.01 μm | ||||||
| 寸法 (WxDxH)/ 質量 | 本体+測定台 | 1146×1247×1973 mm / 約800 kg | 1198×1640×1973 mm / 約800 kg | ||||
| コントローラ | 190×450×440 mm / 約14 kg | ||||||
| 推奨設置寸法 (WxD) *2 | 3150×3000 mm | 3200×3300 mm | |||||
| 最小設置寸法 (WxD) | 2500×1600 mm | 2500×1900 mm | |||||
*1: SEMIガイドラインに従って設置した場合。
*2: 弊社推奨のメンテナンススペースを含む。
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